SI7101DN-T1-GE3

型号：

SI7101DN-T1-GE3

制造商：

VISHAY

客户编号:

型号描述：

文件规格书:

SI7101DN-T1-GE3

规格

产品属性

属性值

Series：

TrenchFET®

Packaging：

Tape & Reel (TR)

Part Status：

Active

FET Type：

P-Channel

Technology：

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)：

30V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

35A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

7.2mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id：

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

102nC @ 10V

Vgs (Max)：

±25V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

3595pF @ 15V

FET Feature：

Power Dissipation (Max)：

3.7W (Ta), 52W (Tc)

Operating Temperature：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type：

Surface Mount

Supplier Device Package：

PowerPAK® 1212-8

Package / Case：

PowerPAK® 1212-8

Base Part Number：

SI7101

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型号

型号描述

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SI7119DN-T1-E3

12000

有库存: 23542

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SI7101DN-T1-GE3

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