SQ2310ES-T1_GE3

型号：

SQ2310ES-T1_GE3

制造商：

VISHAY

客户编号:

型号描述：

文件规格书:

SQ2310ES-T1_GE3

规格

产品属性

属性值

Series：

TrenchFET®

Packaging：

Tape & Reel (TR)

Part Status：

Active

FET Type：

N-Channel

Technology：

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)：

20V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

30mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id：

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

8.5nC @ 4.5V

Vgs (Max)：

±8V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

485pF @ 10V

FET Feature：

Power Dissipation (Max)：

2W (Tc)

Operating Temperature：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Mounting Type：

Surface Mount

Supplier Device Package：

TO-236

Package / Case：

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Base Part Number：

SQ2310

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型号

型号描述

库存

12352

21000

162168

109010

143880

153000

45000

200150

12000

有库存: 6000

库存

6000

交期（工作天）

起订量： 1 倍增量： 1

数量：

单价：

¥0

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¥0.000

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单价

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SQ2310ES-T1_GE3

SQ2310ES-T1_GE3

VISHAY

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