SQ3427AEEV-T1_BE3

型号：

SQ3427AEEV-T1_BE3

制造商：

VISHAY

客户编号:

型号描述：

文件规格书:

SQ3427AEEV-T1_BE3

规格

产品属性

属性值

Packaging：

Tape & Reel (TR)

Part Status：

Active

FET Type：

P-Channel

Technology：

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)：

60V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

5.3A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

95mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id：

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

22nC @ 10V

Vgs (Max)：

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

1000pF @ 30V

FET Feature：

Power Dissipation (Max)：

5W (Tc)

Operating Temperature：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Mounting Type：

Surface Mount

Supplier Device Package：

6-TSOP

Package / Case：

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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SQ3427EV-T1_GE3

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