SQM120P10_10M1LGE3

型号：

SQM120P10_10M1LGE3

制造商：

VISHAY

客户编号:

型号描述：

文件规格书:

SQM120P10_10M1LGE3

规格

产品属性

属性值

Packaging：

Tape & Reel (TR)

Part Status：

Active

FET Type：

P-Channel

Technology：

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)：

100V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

120A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

10.1mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id：

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

190nC @ 10V

Vgs (Max)：

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

9000pF @ 25V

FET Feature：

Power Dissipation (Max)：

375W (Tc)

Operating Temperature：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Mounting Type：

Surface Mount

Supplier Device Package：

TO-263 (D²Pak)

Package / Case：

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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型号

型号描述

库存

SQM120P06-07L_GE3

26400

有库存: 1145

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起订量： 1 倍增量： 1

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单价：

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SQM120P10_10M1LGE3

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