SI2319DDS-T1-GE3

型号：

SI2319DDS-T1-GE3

制造商：

VISHAY

客户编号:

型号描述：

文件规格书:

SI2319DDS-T1-GE3

规格

产品属性

属性值

Base Part Number：

SI2319

Package / Case：

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Supplier Device Package：

SOT-23-3 (TO-236)

Mounting Type：

Surface Mount

Operating Temperature：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Power Dissipation (Max)：

1W (Ta), 1.7W (Tc)

FET Feature：

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

650pF @ 20V

Vgs (Max)：

±20V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

19nC @ 10V

Vgs(th) (Max) @ Id：

2.5V @ 250µA

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

75mOhm @ 2.7A, 10V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

2.7A (Ta), 3.6A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)：

40V

Technology：

MOSFET (Metal Oxide)

FET Type：

P-Channel

Part Status：

Active

Packaging：

Tape & Reel (TR)

Series：

TrenchFET® Gen III

客户还购买了

型号

型号描述

库存

SI2333CDS-T1-GE3

21000

SI2347DS-T1-BE3

2599

SI2369BDS-T1-GE3

28500

有库存: 60000

库存

60000

交期（工作天）

起订量： 1 倍增量： 1

数量：

单价：

¥0

总价:

¥0.000

数量

单价

总价

SI2319DDS-T1-GE3

SI2319DDS-T1-GE3

VISHAY

规格

客户还购买了

有库存: 60000

最新产品

SMD0805P100TFT

SM9541-010C-D-C-3-S

2-BAT3AP

HS3004

HS3104

HDC1080DMBR

HDC2080DMBR

10142048-02

HPP845E031R5

HPP845E034R5