SI2369BDS-T1-GE3

型号：

SI2369BDS-T1-GE3

制造商：

VISHAY

客户编号:

型号描述：

文件规格书:

SI2369BDS-T1-GE3

规格

产品属性

属性值

Series：

TrenchFET® Gen IV

Packaging：

Tape & Reel (TR)

Part Status：

Active

FET Type：

P-Channel

Technology：

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)：

30V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

5.6A (Ta), 7.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

27mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id：

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

19.5nC @ 10V

Vgs (Max)：

+16V, -20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

745pF @ 15V

FET Feature：

Power Dissipation (Max)：

1.3W (Ta), 2.5W (Tc)

Operating Temperature：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type：

Surface Mount

Supplier Device Package：

SOT-23-3 (TO-236)

Package / Case：

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Base Part Number：

SI2369

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型号

型号描述

库存

SI2319DDS-T1-GE3

60000

SI2333CDS-T1-GE3

21000

SI2347DS-T1-BE3

2599

有库存: 28500

库存

28500

交期（工作天）

起订量： 1 倍增量： 1

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单价：

¥0

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SI2369BDS-T1-GE3

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