CSD16321Q5

型号：

CSD16321Q5

制造商：

TI

客户编号:

型号描述：

文件规格书:

CSD16321Q5

规格

产品属性

属性值

Packaging：

Tape & Reel (TR)

Part Status：

Active

FET Type：

N-Channel

Technology：

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)：

25V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

31A (Ta), 100A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：

3V, 8V

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

2.4mOhm @ 25A, 8V

Vgs(th) (Max) @ Id：

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

19nC @ 4.5V

Vgs (Max)：

+10V, -8V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

3100pF @ 12.5V

FET Feature：

Power Dissipation (Max)：

3.1W (Ta)

Operating Temperature：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type：

Surface Mount

Supplier Device Package：

8-VSON-CLIP (5x6)

Package / Case：

8-PowerTDFN

Base Part Number：

CSD1632

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型号

型号描述

库存

56210

12500

25000

27000

7500

64007

有库存: 15000

库存

15000

交期（工作天）

起订量： 1 倍增量： 1

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CSD16321Q5

CSD16321Q5

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