CSD17318Q2

型号：

CSD17318Q2

制造商：

TI

客户编号:

型号描述：

文件规格书:

CSD17318Q2

规格

产品属性

属性值

Series：

NexFET™

Packaging：

Tape & Reel (TR)

Part Status：

Active

FET Type：

N-Channel

Technology：

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)：

30V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

25A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：

2.5V, 8V

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

15.1mOhm @ 8A, 8V

Vgs(th) (Max) @ Id：

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

6nC @ 4.5V

Vgs (Max)：

±10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

879pF @ 15V

FET Feature：

Power Dissipation (Max)：

16W (Tc)

Operating Temperature：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type：

Surface Mount

Supplier Device Package：

6-WSON (2x2)

Package / Case：

6-WDFN Exposed Pad

Base Part Number：

CSD17318

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型号

型号描述

库存

15000

56210

12500

25000

7500

64007

有库存: 27000

库存

27000

交期（工作天）

起订量： 1 倍增量： 1

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单价：

¥0

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¥0.000

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CSD17318Q2

CSD17318Q2

TI

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