CSD16406Q3

型号：

CSD16406Q3

制造商：

TI

客户编号:

型号描述：

文件规格书:

CSD16406Q3

规格

产品属性

属性值

Packaging：

Tape & Reel (TR)

Part Status：

Active

FET Type：

N-Channel

Technology：

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)：

25V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：

19A (Ta), 60A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs：

5.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id：

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：

8.1nC @ 4.5V

Vgs (Max)：

+16V, -12V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：

1100pF @ 12.5V

FET Feature：

Power Dissipation (Max)：

2.7W (Ta)

Operating Temperature：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type：

Surface Mount

Supplier Device Package：

8-VSON-CLIP (3.3x3.3)

Package / Case：

8-PowerTDFN

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型号

型号描述

库存

15000

56210

25000

27000

7500

64007

有库存: 12500

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12500

交期（工作天）

起订量： 1 倍增量： 1

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CSD16406Q3

CSD16406Q3

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